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展會(huì)回顧PCIM Asia 2023 | 高能效IGBT器件、高壓大功率模塊、高功率SiC器件
2023.09.04

2023年8月29-31日，上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)PCIM Asia 2023在上海新國(guó)際博覽中心舉行。全球各地的電力電子及驅(qū)動(dòng)技術(shù)廠商齊聚，探索行業(yè)最新趨勢(shì)和創(chuàng)新發(fā)展。

士蘭微電子攜高能效IGBT器件、高壓大功率模塊、高功率SiC器件等適用于光伏儲(chǔ)能、新能源汽車多領(lǐng)域產(chǎn)品參加了本次盛會(huì)。



1. 高壓大功率模塊 || 適用于光伏儲(chǔ)能等

士蘭光伏儲(chǔ)能模塊產(chǎn)品，涵蓋了工商業(yè)、組串電站、儲(chǔ)能、集中式電站等領(lǐng)域，尤其在逆變器產(chǎn)品方面表現(xiàn)優(yōu)異。傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗更低，更容易實(shí)現(xiàn)高頻開關(guān)；帶銅底板，有更好的散熱能力。

使用場(chǎng)合：組串電站MPPT升壓，面板單路電流60A。

電氣特性：采用士蘭5代中頻950V IGBT，開關(guān)損耗小。

封裝特性：采用士蘭D3封裝，采用絕緣DBC，銅基板散熱。 





2. 高壓大功率模塊 || 適用于新能源汽車等 

士蘭車規(guī)級(jí)模塊用于混動(dòng)和純電汽車領(lǐng)域，功率范圍覆蓋30-200kW，具有高電流密度、高短路能力和高阻斷電壓等級(jí)，在嚴(yán)苛環(huán)境條件下具有更高的可靠性。

使用場(chǎng)合：混動(dòng)和純電動(dòng)汽車主驅(qū)。

電氣特性：采用士蘭高密度溝槽工藝IGBT芯片和自研FRD的六單元拓?fù)淠K。

封裝特性：采用士蘭B3封裝，采用絕緣DBC，pinfin銅基板散熱。


3. 高功率SiC器件 || 適用于光伏、汽車等

士蘭微電子針對(duì)光伏、汽車等應(yīng)用的高功率SiC產(chǎn)品系列具有更高的參數(shù)一致性，更低的失效不良率，從而滿足高端客戶需求。


SCDP120R013N2P48

SCDP120R013N2P48采用TO247-4L封裝的1200V、13.5mΩ的SiC MOSFET基于士蘭第二代平面工藝，提供了業(yè)界最低的開關(guān)損耗和最高的品質(zhì)因素。適用于電動(dòng)汽車的快速充電器和高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器等場(chǎng)景。

SGTP140V120FDB7PW4

采用TO247P-4L封裝的1200V、140A的IGBT基于士蘭FS5+系列工藝，高功率密度的工藝使其額定電流達(dá)到140A，具有低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗的特點(diǎn)。主要滿足綠色低碳場(chǎng)景，如太陽能光伏，不間斷電源等。


4. 高能效IGBT器件 || 適用于白電、小家電等

士蘭微電子致力于利用成熟的專業(yè)應(yīng)用技術(shù)以及半導(dǎo)體產(chǎn)品系列，克服在最先進(jìn)的系統(tǒng)中遇到的挑戰(zhàn)，使洗衣機(jī)、冰箱和空調(diào)等高能耗設(shè)備成為過去。

SGTP50V60FD2PU

采用TO247-3L封裝的600V、50A的IGBT基于士蘭FS5+系列工藝，在開關(guān)和導(dǎo)通損耗之間實(shí)現(xiàn)完美平衡，顯著改善了器件的動(dòng)態(tài)與靜態(tài)性能，同時(shí)具有優(yōu)秀的抗電磁干擾能力。在家電領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。


士蘭微電子利用自身在高壓智能功率模塊技術(shù)、第三代功率半導(dǎo)體器件技術(shù)、綠色電源芯片技術(shù)等多個(gè)芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域的積累，以及不斷強(qiáng)化的工藝平臺(tái)開發(fā)能力，不斷提升的8吋/12吋硅圓片生產(chǎn)能力、先進(jìn)化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)能力，為光伏、新能源客戶提供優(yōu)質(zhì)的芯片產(chǎn)品系列和系統(tǒng)性的應(yīng)用解決方案，助力產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展。