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士蘭微電子發(fā)明專利榮獲第二十三屆中國專利優(yōu)秀獎(jiǎng)
2022.04.30

近日，國家知識產(chǎn)權(quán)局公布了第二十三屆中國專利獎(jiǎng)獲獎(jiǎng)名單，其中士蘭微電子申報(bào)的“功率器件及其制造方法”（專利號：ZL201610941707.1）發(fā)明專利榮獲第二十三屆中國專利優(yōu)秀獎(jiǎng)。

本次評選采用項(xiàng)目推薦方式，以高質(zhì)量發(fā)展為導(dǎo)向，優(yōu)先推薦基礎(chǔ)研究、應(yīng)用基礎(chǔ)研究、突破關(guān)鍵技術(shù)難題等方面形成的核心專利，貫徹《中國專利獎(jiǎng)評獎(jiǎng)辦法》和《國家知識產(chǎn)權(quán)局關(guān)于評選第二十三屆中國專利獎(jiǎng)的通知》，鼓勵(lì)和表彰為技術(shù)創(chuàng)新和經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展作出突出貢獻(xiàn)的專利權(quán)人和發(fā)明人。

長期以來，士蘭微電子注重知識產(chǎn)權(quán)的保護(hù)和積累，截止2021年12月31日，已申請國內(nèi)專利2100余項(xiàng)、國外專利30余項(xiàng)，2021年新增自主研發(fā)的專利近200余項(xiàng)。該專利公開的功率器件包括：半導(dǎo)體襯底；位于半導(dǎo)體襯底上的第一摻雜區(qū)；位于第一摻雜區(qū)的第一區(qū)域中的多個(gè)第二摻雜區(qū)；以及位于第一摻雜區(qū)的第二區(qū)域中的多個(gè)第三摻雜區(qū)。在不增加任何工藝復(fù)雜度和成本的基礎(chǔ)上，通過調(diào)整第一電荷補(bǔ)償結(jié)構(gòu)和第二電荷補(bǔ)償結(jié)構(gòu)中的P型摻雜區(qū)的摻雜濃度，兼顧提高功率器件的導(dǎo)通電阻和擊穿電壓的要求。